DXT3904-13, 40V 1W 100@10mA,1V 200mA NPN SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
67 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
43 руб.
от 150 шт. —
37 руб.
от 500 шт. —
30.57 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 335 руб.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 1000mW 40Vceo
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.5 mm |
Длина | 4.5 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 100 mA, 1 V |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | DXT3904 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-89-3 |
Ширина | 2.48 mm |
Вес, г | 0.22 |
Техническая документация
Datasheet DXT3904-13
pdf, 349 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов