DXT3904-13, 40V 1W 100@10mA,1V 200mA NPN SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT

DXT3904-13, 40V 1W 100@10mA,1V 200mA NPN SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
67 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.43 руб.
от 150 шт.37 руб.
от 500 шт.30.57 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 335 руб.
Номенклатурный номер: 8020651078
Артикул: DXT3904-13
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 1000mW 40Vceo

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 1000 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.5 mm
Длина 4.5 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 30 at 100 mA, 1 V
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 200 mA
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 300 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 300 MHz
Размер фабричной упаковки 2500
Серия DXT3904
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-89-3
Ширина 2.48 mm
Вес, г 0.22

Техническая документация

Datasheet DXT3904-13
pdf, 349 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов