EMZ7T2R, Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 12V 500MA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7429 шт., срок 7-9 недель
170 руб.
от 10 шт. —
140 руб.
от 100 шт. —
93 руб.
от 500 шт. —
70.53 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max NPN | 12В |
Collector Emitter Voltage Max PNP | 12В |
Continuous Collector Current NPN | 500мА |
Continuous Collector Current PNP | 500мА |
DC Current Gain hFE Min NPN | 270hFE |
DC Current Gain hFE Min PNP | 270hFE |
DC Ток Коллектора | 500мА |
DC Усиление Тока hFE | 270hFE |
Power Dissipation NPN | 150мВт |
Power Dissipation PNP | 150мВт |
Transition Frequency NPN | 320МГц |
Transition Frequency PNP | 260МГц |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 12В |
Полярность Транзистора | NPN, PNP |
Рассеиваемая Мощность | 150мВт |
Стиль Корпуса Транзистора | EMT |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1689 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.