F3L150R12W2H3B11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three level Inverter, 75 А, 1.55 В, 500 Вт, 175 °C, Module

F3L150R12W2H3B11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three level Inverter, 75 А, 1.55 В, 500 Вт, 175 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
21 050 руб.
от 5 шт.18 970 руб.
от 10 шт.17 800 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 21 050 руб.
Номенклатурный номер: 8001897540
Артикул: F3L150R12W2H3B11BPSA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Модуль IGBT Трехфазный инвертор 1200 В, 75 А, 500 Вт Модуль для монтажа на шасси

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.55В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 75А
DC Ток Коллектора 75А
Power Dissipation 500Вт
Выводы БТИЗ Solder
Конфигурация БТИЗ Three level Inverter
Линейка Продукции EasyPACK
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Максимальная Температура Перехода Tj 175°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.55В
Рассеиваемая Мощность 500Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 3 High Speed
Base Product Number F3L150 ->
Configuration Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) 75A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 8.7nF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40В°C ~ 150В°C
Package Bulk
Package / Case Module
Power - Max 500W
REACH Status REACH Unaffected
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Вес, г 0.16

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «IGBT модули»