Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FCD360N65S3R0, Силовой МОП-транзистор ...

FCD360N65S3R0, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 10 А, 0.31 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

360 руб.

Мин. кол-во для заказа 8 шт.

от 10 шт. — 320 руб.

от 100 шт. — 239 руб.

Добавить в корзину 8 шт. на сумму 2 880 руб.

Номенклатурный номер: 8000943342

Артикул: FCD360N65S3R0

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

МОП-транзистор SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm

Технические параметры

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.31Ом
Power Dissipation	83Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	SUPERFET III
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	650В
Непрерывный Ток Стока	10А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4.5В
Рассеиваемая Мощность	83Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.31Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Id - непрерывный ток утечки	10 A
Pd - рассеивание мощности	83 W
Qg - заряд затвора	18 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	360 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	11 ns
Время спада	10 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	6 S
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	2500
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Типичное время задержки выключения	34 ns
Типичное время задержки при включении	12 ns
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	TO-252-3
Вес, г	0.1