FCMT180N65S3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 17 А, 0.152 Ом, PQFN, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
720 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
640 руб.
от 100 шт. —
508 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 880 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance.
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.152Ом |
Power Dissipation | 139Вт |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
Линейка Продукции | SUPERFET III |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
Непрерывный Ток Стока | 17А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
Рассеиваемая Мощность | 139Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.152Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | PQFN |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Channel Mode | Enhancement |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 17 A |
Maximum Drain Source Resistance | 180 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 139 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | Power88 |
Pin Count | 4 |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
Width | 8mm |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов