FCPF400N80Z, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 6,9А, 35,7Вт, TO220FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
710 руб.
от 3 шт. —
580 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 710 руб.
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор полевой FCPF400N80Z от производителя ONSEMI является высококачественным N-MOSFET элементом с монтажом THT. Он имеет максимальный ток стока 11 А и напряжение сток-исток 800 В, что обеспечивает надежный контроль нагрузки в различных электронных устройствах. Мощность транзистора составляет 35,7 Вт, а корпус TO220F обеспечивает удобную интеграцию в печатные платы. Транзистор FCPF400N80Z идеально подходит для использования в источниках питания, инверторах и других устройствах, требующих эффективного управления мощностью. Код товара FCPF400N80Z гарантирует легкий поиск и заказ данного компонента в нашем интернет-магазине. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 11 |
| Напряжение сток-исток, В | 800 |
| Мощность, Вт | 35.7 |
| Корпус | TO220F |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 340 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 35.7 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220F |
| Pin Count | 3 |
| Series | SuperFET II |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Width | 4.9mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 35.7 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 56 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 400 mOhms |
| Rise Time: | 34 ns |
| Series: | FCPF400N80Z |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | SuperFET II |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 112 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 50 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Вес, кг | 2.27 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
