Мой регион: Россия

FCU360N65S3R0, SUPERFET3 650V IPAK PKG

Ном. номер: 8000720467
PartNumber: FCU360N65S3R0
Производитель: ON Semiconductor
FCU360N65S3R0, SUPERFET3 650V IPAK PKG
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
83 руб.
1800 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 375 шт. — 72 руб.
от 750 шт. — 61 руб.
Кратность заказа 75 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
137 руб. 3-4 недели, 1800 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 90 руб.
140 руб. 2-3 недели, 1795 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 108 руб.
от 100 шт. — 79 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 306 руб./мес

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
10 А
Тип корпуса
IPAK
Максимальное рассеяние мощности
83 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
2.5мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
Высота
6.3мм
Размеры
6.8 x 2.5 x 6.3мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.8мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
12 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
34 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
360 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
18 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
730 пФ при 400 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Прямое напряжение диода
1.2V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.