FDA20N50F, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 22А [TO-3PN]
![FDA20N50F, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 22А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426403.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 руб.
от 15 шт. —
522 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 580 руб.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 22 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.26 Ом/11А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 388 | |
| Корпус | to-3pn | |
| Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
FDA20N50F
pdf, 1534 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
