FDB0190N807L, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 270 А, 0.0013 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
1 470 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
1 250 руб.
от 100 шт. —
1 000 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 940 руб.
Описание
80V 270A 1.7mΩ@10V,34A 4V@250uA N Channel TO-263-7 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 270A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.7mΩ@10V, 34A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 80V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 19.11nF@40V |
Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 3.8W;250W |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 249nC@10V |
Type | N Channel |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet FDB0190N807L
pdf, 556 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов