FDB0190N807L, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 270 А, 0.0013 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

1 470 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.1 250 руб.
от 100 шт.1 000 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 2 940 руб.
Номенклатурный номер: 8379504259
Артикул: FDB0190N807L

Описание

80V 270A 1.7mΩ@10V,34A 4V@250uA N Channel TO-263-7 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 270A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 1.7mΩ@10V, 34A
Drain Source Voltage (Vdss) 80V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 19.11nF@40V
Operating Temperature -55℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 3.8W;250W
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 249nC@10V
Type N Channel
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet FDB0190N807L
pdf, 556 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов