FDB050AN06A0, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 80 А, 0.0043 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

640 руб.

Мин. кол-во для заказа 5 шт.

от 10 шт. — 550 руб.

от 100 шт. — 446 руб.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 3 200 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8001663583

Артикул: FDB050AN06A0

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types.

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.0043Ом
Power Dissipation	245Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	PowerTrench
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	80А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	245Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0043Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Channel Mode	Enhancement
Maximum Continuous Drain Current	80 A
Maximum Drain Source Resistance	11 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	245 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	D2PAK(TO-263)
Pin Count	3
Series	PowerTrench
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	61 nC @ 10 V
Width	9.65mm
Вес, г	2.5