FDB075N15A, N-Channel MOSFET, 130 A, 150 V, 3-Pin D2PAK

Ном. номер: 8034933865
Артикул: FDB075N15A
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 FDB075N15A, N-Channel MOSFET, 130 A, 150 V, 3-Pin D2PAK
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 FDB075N15A, N-Channel MOSFET, 130 A, 150 V, 3-Pin D2PAK
400 руб.
1700 шт. со склада г.Москва,
срок 8 рабочих дней
от 20 шт. — 320 руб.
от 200 шт. — 271 руб.
от 400 шт. — 256.90 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
454 руб. 3-4 недели, 3 шт. 1 шт. 1 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
130 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
333 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Высота
4.83мм
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
37 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
62 ns
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
7,5 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
150 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
77 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
5525 пФ при 75 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Дополнительная информация

Datasheet FDB075N15A

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.