Мой регион: Россия

FDB20N50F, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 500 В, 0.22 Ом, 10 В, 5 В

Ном. номер: 8001644701
PartNumber: FDB20N50F
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 FDB20N50F, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 500 В, 0.22 Ом, 10 В, 5 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 FDB20N50F, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 500 В, 0.22 Ом, 10 В, 5 В
310 руб.
688 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 229 руб.
от 100 шт. — 182 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
390 руб. 8 дней, 2886 шт. 2 шт. 2 шт.
от 8 шт. — 260 руб.
от 40 шт. — 210 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
20 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
250 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Высота
4.83мм
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
45 ns
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
100 нс
Серия
UniFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
260 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
50 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2550 pF @ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Вес, г
0.5

Дополнительная информация

Datasheet FDB20N50F

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.