FDB44N25TM, N-Channel MOSFET, 44 A, 250 V, 3-Pin D2PAK

Фото 2/2 FDB44N25TM, N-Channel MOSFET, 44 A, 250 V, 3-Pin D2PAK
Фото 1/2 FDB44N25TM, N-Channel MOSFET, 44 A, 250 V, 3-Pin D2PAK
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
320 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 640 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8669283900
Артикул: FDB44N25TM
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Semiconductors
N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, Fairchild Semiconductor
МОП-транзистор UniFET ™ - это семейство высоковольтных МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он имеет наименьшее сопротивление в открытом состоянии среди планарных полевых МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую устойчивость к лавинной энергии. Кроме того, внутренний антистатический диод затвор-исток позволяет MOSFET-транзистору UniFET-II ™ выдерживать импульсное напряжение HBM более 2000 В.
Полевые МОП-транзисторы UniFET ™ подходят для применения в импульсных преобразователях мощности, таких как коррекция коэффициента мощности (PFC), плоские дисплеи (FPD) Питание телевизора, ATX (Advanced Technology eXtended) и электронные балласты для ламп.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.67мм
Transistor Configuration Одинарный
Производитель ON Semiconductor
Максимальный непрерывный ток стока 44 А
Тип корпуса D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности 307 Вт
Серия UniFET
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 11.33мм
Высота 4.83мм
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Максимальное сопротивление сток-исток 69 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 250 V
Число контактов 3
Размеры 10.67 x 11.33 x 4.83мм
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 47 nC @ 10 V
Материал транзистора Кремний
Номер канала Поднятие
Тип канала N
Id - непрерывный ток утечки 44 A
Pd - рассеивание мощности 307 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 69 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 250 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 400 ns
Время спада 115 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 32 S
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 800
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 85 ns
Типичное время задержки при включении 55 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок TO-263-3

Техническая документация

Datasheet FDB44N25TM
pdf, 528 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах