FDB5800, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 80 А, 0.0046 Ом, TO-263AB, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
740 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
660 руб.
от 100 шт. —
528 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 960 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 80А, 242Вт, D2PAK Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | D2PAK |
| Drain current | 80A |
| Drain-source voltage | 60V |
| Gate charge | 135nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 12.6mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 242W |
| Technology | PowerTrench® |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 10 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 783 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
