Мой регион: Россия

FDC5661N_F085, MOSFET N-CH 60V 4A LOGIC LEVEL SSOT6

Ном. номер: 8000005639
PartNumber: FDC5661N_F085
Производитель: ON Semiconductor
FDC5661N_F085, MOSFET N-CH 60V 4A LOGIC LEVEL SSOT6
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
19 руб.
2575 шт. со склада г.Москва,
срок 1-2 недели
Кратность заказа 25 шт.
Добавить в корзину 25 шт. на сумму 475 руб.
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
4 A
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
1,6 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.7мм
Высота
1мм
Размеры
3 x 1.7 x 1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7.2 ns
Производитель
Fairchild Semiconductor
Типичное время задержки выключения
19,3 нс
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
86 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
6
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
14.5 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
763 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.