FDC602P, МОП-транзистор, P Канал, 5.5 А, -20 В, 35 мОм, -4.5 В, -900 мВ

PartNumber: FDC602P
Ном. номер: 8146764124
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 FDC602P, МОП-транзистор, P Канал, 5.5 А, -20 В, 35 мОм, -4.5 В, -900 мВ
Фото 2/3 FDC602P, МОП-транзистор, P Канал, 5.5 А, -20 В, 35 мОм, -4.5 В, -900 мВФото 3/3 FDC602P, МОП-транзистор, P Канал, 5.5 А, -20 В, 35 мОм, -4.5 В, -900 мВ
Доступно на заказ 1096 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
52 руб. × = 52 руб.
от 25 шт. — 48 руб.
от 100 шт. — 23 руб.

Описание

The FDC602P is a 2.5V specified P-channel MOSFET uses a rugged gate version of Fairchild's advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5 to 12V). It is suitable for use in battery management, load switch and battery protection applications.

• Fast switching speed
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
SuperSOT
Рассеиваемая Мощность
1.6Вт
Полярность Транзистора
P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
-20В
Непрерывный Ток Стока
5.5А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.035Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
-900мВ

Дополнительная информация

Datasheet FDC602P
FDC602P, PowerTrench -20V P-Channel 2.5V Specified MOSFET