FDC6306P, Двойной МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 1.9 А, 0.127 Ом, SuperSOT, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
90 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 2 800 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы
The FDC6306P is a dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive packages are impractical. It is suitable for use with load switch and battery protected applications.
• Low gate charge
• Fast switching speed
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• Small footprint
• Low profile
Технические параметры
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Непрерывный Ток Стока | 1.9А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 900мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 960мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.127Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.9 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 270 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Maximum Power Dissipation | 960 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 6 |
| Series | PowerTrench |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3 nC 4.5 V |
| Width | 1.7mm |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Max Processing Temp | 260 |
| Mounting | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| RDS-on | 170@4.5V mOhm |
| Typical Fall Time | 3 ns |
| Typical Rise Time | 9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 14 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 9 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 4 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.9 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | SSOT-6 |
| Part # Aliases: | FDC6306P_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 960 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Qg - Gate Charge: | 4.2 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 170 mOhms |
| Rise Time: | 9 ns |
| Series: | FDC6306P |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 61 КБ
Datasheet
pdf, 321 КБ
Datasheet FDC6306P
pdf, 158 КБ
Datasheet FDC6306P
pdf, 175 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
