Мой регион: Россия

FDC655BN

Ном. номер: 8168861432
PartNumber: FDC655BN
Производитель: ON Semiconductor
FDC655BN
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
13 руб.
15000 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 9000 шт. — 12 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
39 руб. 2-3 недели, 4050 шт. 5 шт. 5 шт.
от 50 шт. — 35 руб.
от 100 шт. — 21 руб.
17 руб. 2-3 недели, 140 шт. 10 шт. 100 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
6,3 А
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
1.6 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.7мм
Высота
1мм
Размеры
3 x 1.7 x 1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
6 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
15 ns
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
36 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
6
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
5 нКл при 5 В, 9 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
470 pF @ 15 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.