Мой регион: Россия

FDD120AN15A0, МОП-транзистор, N Канал, 14 А, 150 В, 0.101 Ом, 10 В, 4 В

Ном. номер: 8160991111
PartNumber: FDD120AN15A0
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 FDD120AN15A0, МОП-транзистор, N Канал, 14 А, 150 В, 0.101 Ом, 10 В, 4 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 FDD120AN15A0, МОП-транзистор, N Канал, 14 А, 150 В, 0.101 Ом, 10 В, 4 В
85 руб.
1174 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 73 руб.
от 100 шт. — 56 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
84 руб. 3-4 недели, 2132 шт. 1 шт. 2 шт.
от 25 шт. — 72.70 руб.
84 руб. 2-3 недели, 959 шт. 1 шт. 5 шт.
от 10 шт. — 58 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The FDD120AN15A0 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's PowerTrench® process. It is suitable for use in synchronous rectification and micro solar inverter application.

• Low miller charge
• Low Qrr body diode
• UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
14 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
65 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
6 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
30 нс
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
282 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
150 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
11,2 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
770 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.568

Дополнительная информация

Datasheet FDD120AN15A0

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.