Мой регион: Россия

FDD306P, MOSFET P-Channel 12V 6.7A

PartNumber: FDD306P
Ном. номер: 8000012389
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDD306P, MOSFET P-Channel 12V 6.7A
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
67 руб.
1240 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 50 шт. — 40 руб.
от 200 шт. — 33 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
81 руб. 3-4 недели, 3045 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 67.10 руб.
от 25 шт. — 67 руб.
72 руб. 2-3 недели, 2175 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 65 руб.
от 100 шт. — 42 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.<BR/>The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.<BR/>Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
6,7 А
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
52 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
29 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
54 нс
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Максимальное сопротивление сток-исток
90 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
12 В перем. тока/пост. тока
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
15 nC @ 4.5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1290 нКл при -6 В
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.