FDD5N50NZFTM, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 500 В, 3.7 А, 1.47 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
198 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 2 700 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 1.47Ом |
Power Dissipation | 62.5Вт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | UniFET II FRFET |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
Непрерывный Ток Стока | 3.7А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
Рассеиваемая Мощность | 62.5Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.47Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Вес, г | 9.07 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов