FDD6637-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 80A [DPAK / TO-252]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
9001002896
Артикул
FDD6637-VB
Структура
P-канал
Крутизна характеристики, S
20
Корпус
DPAK(2 Leads+Tab)
Вес, г
0.4
Все параметры
Datasheet FDD6637
pdf, 764 КБ
87 шт. со склада г.Москва
65 руб.
от 100 шт. —
55 руб.
от 1000 шт. —
по запросу
1 шт.
на сумму 65 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Посмотреть аналоги2
Товары со схожими характеристиками
30V 80A 9m-@10V,80A P Channel TO-252-2 MOSFETs
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.011 Ом/30А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 187 | |
| Крутизна характеристики, S | 20 | |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet FDD6637
pdf, 764 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.




