FDD6637-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 80A [DPAK / TO-252]

FDD6637-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 80A [DPAK / TO-252]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2188 шт. со склада г.Москва
54 руб.
от 100 шт.49 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 54 руб.
Посмотреть аналоги2
Номенклатурный номер: 9001002896
Артикул: FDD6637-VB

Описание

30V 80A 9m-@10V,80A P Channel TO-252-2 MOSFETs

Технические параметры

Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 80
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.011 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 187
Крутизна характеристики, S 20
Корпус DPAK(2 Leads+Tab)
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet FDD6637
pdf, 764 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.