Мой регион: Россия

FDD6690A, MOSFET N-CH 30V 12A POWERTRENCH TO-252

Ном. номер: 8000005859
PartNumber: FDD6690A
Производитель: ON Semiconductor
FDD6690A, MOSFET N-CH 30V 12A POWERTRENCH TO-252
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
6980 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 50 шт. — 81 руб.
от 250 шт. — 65 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
98 руб. 2-3 недели, 8293 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 84 руб.
от 100 шт. — 64 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес
PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
46 А
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
56 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
6.22мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
47S
Высота
2.39мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
19 ns
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
46 ns
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
19 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
13 нКл при 5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1230 pF @ 15 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.2V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.