Мой регион: Россия

FDD8424H, Транзистор MOSFET N/P-каналы 40В 9А/6.5А [D-PAK]

Ном. номер: 9000353367
Артикул: FDD8424H
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/4 FDD8424H, Транзистор MOSFET N/P-каналы 40В 9А/6.5А [D-PAK]
Фото 2/4 FDD8424H, Транзистор MOSFET N/P-каналы 40В 9А/6.5А [D-PAK]Фото 3/4 FDD8424H, Транзистор MOSFET N/P-каналы 40В 9А/6.5А [D-PAK]Фото 4/4 FDD8424H, Транзистор MOSFET N/P-каналы 40В 9А/6.5А [D-PAK]
110 руб.
13698 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 88 руб.
от 100 шт. — 68 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
15 руб. По запросу 1 шт. 239 шт.
110 руб. 2-3 недели, 1935 шт. 1 шт. 5 шт.
от 10 шт. — 68 руб.
95 руб. 4 дня, 424 шт. 1 шт. 7 шт.
от 26 шт. — 61 руб.
от 51 шт. — 54 руб.
140 руб. 10 дней, 195 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 55 руб.
от 125 шт. — 43 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

Технические параметры

Вес, г
0.44

Техническая документация

FDD8424H
pdf, 600 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FDD8424H

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.