Добавить к сравнению Сравнить ()

FDD8447L, Транзистор, N-канал 40В 50А [D-PAK]

Артикул: FDD8447L
Ном. номер: 9060000636
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/3 FDD8447L, Транзистор, N-канал 40В 50А [D-PAK]
Фото 2/3 FDD8447L, Транзистор, N-канал 40В 50А [D-PAK]Фото 3/3 FDD8447L, Транзистор, N-канал 40В 50А [D-PAK]
Есть в наличии более 400 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка завтра
36 × = 36
от 40 шт. — 28 руб.
от 400 шт. — 26 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The FDD8447L is a 40V N-channel PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
8.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1…3

Техническая документация

FDD8447L datasheet
pdf, 566 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FDD8447L
Datasheet FDD8447L
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов