FDD86102LZ, N-Channel MOSFET, 8 A, 100 V, 3-Pin DPAK FDD86102LZ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 1 250 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 54 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | PowerTrench |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Width | 6.22mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 42 A |
| Pd - рассеивание мощности | 54 W |
| Qg - заряд затвора | 26 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 31 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 2.39 mm |
| Длина | 6.73 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 31 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | FDD86102LZ |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
