FDD8880, Транзистор N-MOSFET 30В 58А 55Вт 0.012Ом [TO-252 / DPAK.]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
9001633791
Артикул
FDD8880
Структура
N-канал
Корпус
dpak
Вес, г
0.45
Все параметры
FDD8880
pdf, 433 КБ
2451 шт. со склада г.Москва
35 руб.
от 20 шт. —
27 руб.
от 200 шт. —
26 руб.
1 шт.
на сумму 35 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Посмотреть аналоги1
Товары со схожими характеристиками
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 58 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 12 мОм/35А, 4.5В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 55 | |
| Корпус | dpak | |
| Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
FDD8880
pdf, 433 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.




