FDD8880, Транзистор N-MOSFET 30В 58А 55Вт 0.012Ом [TO-252 / DPAK.]

FDD8880, Транзистор N-MOSFET 30В 58А 55Вт 0.012Ом [TO-252 / DPAK.]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
9001633791
Артикул
FDD8880
Структура
N-канал
Корпус
dpak
Вес, г
0.45
Все параметры
FDD8880
pdf, 433 КБ
2451 шт. со склада г.Москва
35 руб.
от 20 шт.27 руб.
от 200 шт.26 руб.
1 шт. на сумму 35 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Посмотреть аналоги1
Товары со схожими характеристиками

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 58
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 12 мОм/35А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 55
Корпус dpak
Вес, г 0.45

Техническая документация

FDD8880
pdf, 433 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.