FDD8882, MOSFET, Fairchild, FDD888

PartNumber: FDD8882
Ном. номер: 8026442357
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDD8882, MOSFET, Fairchild, FDD888
Доступно на заказ более 100 уп. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
50 руб. × = 500 руб.
Цена указана за упаковку из 10
Количество товаров должно быть кратно 10 уп.
от 100 уп. — 27 руб.
от 200 уп. — 22.10 руб.

Описание

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 20A to 59.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Semiconductors

Технические параметры

Категория
МОП-транзистор с щелевой структурой
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Максимальный непрерывный ток стока
55 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.019 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
55 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
DPAK
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
3.7 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1260 пФ при 15 В
Типичное время задержки выключения
40 ns
Типичное время задержки включения
8 ns
Ширина
6.22mm
Материал транзистора
Кремний
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Высота
2.39mm
Длина
6.73mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

FDD8882 / FDU8882, N-Channel PowerTrench MOSFET 30V 55A 11.5mOhm Data Sheet FDD8882