FDD8896, Транзистор полевой N-канальный 30В 85А 80Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 8 шт. —
130 руб.
от 15 шт. —
108 руб.
от 29 шт. —
104 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 560 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 30В 85А 80Вт
Технические параметры
| Корпус | DPAK/TO-252AA | |
| Id - непрерывный ток утечки | 94 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 80 W | |
| Qg - заряд затвора | 60 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.7 mOhms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Время нарастания | 106 ns | |
| Время спада | 41 ns | |
| Высота | 2.39 mm | |
| Длина | 6.73 mm | |
| Другие названия товара № | FDD8896_NL | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 2500 | |
| Серия | FDD8896 | |
| Технология | Si | |
| Тип | MOSFET | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel | |
| Типичное время задержки выключения | 53 ns | |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns | |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild | |
| Упаковка / блок | TO-252-3 | |
| Ширина | 6.22 mm | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 94 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 9 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 80 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | DPAK(TO-252) | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | PowerTrench | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 46 nC @ 10 V | |
| Width | 6.22mm | |
| Вес, г | 0.66 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
