FDFS2P753Z, МОП-транзистор, P Канал, 3 А, -30 В, 0.069 Ом, -10 В, -2.1 В

PartNumber: FDFS2P753Z
Ном. номер: 8154712493
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 FDFS2P753Z, МОП-транзистор, P Канал, 3 А, -30 В, 0.069 Ом, -10 В, -2.1 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 FDFS2P753Z, МОП-транзистор, P Канал, 3 А, -30 В, 0.069 Ом, -10 В, -2.1 В
52 руб.
1255 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 25 шт. — 48 руб.
от 100 шт. — 30 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
27 руб. 2260 шт. 2-3 недели 20 шт. 200 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The FDFS2P753Z is an integrated P-channel MOSFET and Schottky Diode combines the exceptional performance of Fairchild's PowerTrench® technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier. It is designed specifically as a single package solution for DC to DC converters. It features a fast switching, low gate charge MOSFET with very low ON-state resistance. The independently connected Schottky diode allows its use in a variety of DC-to-DC converter topologies.

• Schottky and MOSFET incorporated into single power surface-mount SO-8 package
• Electrically independent Schottky and MOSFET pin out for design flexibility

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
3 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
1.6 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
3.9мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
Высота
1.575мм
Размеры
4.9 x 3.9 x 1.575мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
4.9мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7 ns
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
18 нс
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
180 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
6,6 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
340 пФ при 10 В
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Прямое напряжение диода
1.2V

Дополнительная информация

Datasheet FDFS2P753Z

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.