Мой регион: Россия

FDG6303N, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 500 мА, 25 В, 0.45 Ом, 4.5 В, 800 мВ

Ном. номер: 8001622431
PartNumber: FDG6303N
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 FDG6303N, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 500 мА, 25 В, 0.45 Ом, 4.5 В, 800 мВ
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 FDG6303N, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 500 мА, 25 В, 0.45 Ом, 4.5 В, 800 мВ
9 руб.
6000 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 3000 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
68 руб. 8 дней, 3585 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 40 руб.
от 50 шт. — 33 руб.
40 руб. 2-3 недели, 18296 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 29 руб.
от 100 шт. — 14 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The FDG6303N is a dual N-channel logic level enhancement-mode MOSFET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs.

• Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS (th) <1.5V)
• Gate-source Zener for ESD ruggedness
• Compact industry standard surface-mount-package
• -0.5 to 8V Gate to source voltage
• 0.5A Continuous drain/output current
• 1.5A Pulsed drain/output current

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
500 мА
Тип корпуса
SC-70
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.25мм
Высота
1мм
Размеры
2 x 1.25 x 1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
2мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
3 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
17 ns
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Максимальное сопротивление сток-исток
770 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
25 V
Число контактов
6
Категория
Малый сигнал
Типичный заряд затвора при Vgs
1,64 нКл при 5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
50 пФ при 10 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
+8 В
Вес, г
1

Дополнительная информация

Datasheet FDG6303N

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.