FDG6320C, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 220 мА, 25 В, 4 Ом, 4.5 В, 850 мВ

PartNumber: FDG6320C
Ном. номер: 8107030528
Производитель: ON Semiconductor
FDG6320C, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 220 мА, 25 В, 4 Ом, 4.5 В, 850 мВ
Доступно на заказ 3000 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
11 руб. × = 33 000 руб.
Количество товаров должно быть кратно 3000 шт.

Описание

The FDG6320C is a dual N/P-channel logic level enhancement-mode MOSFET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.

• Very small package outline
• Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS (th) <1.5V)
• Gate-source Zener for ESD ruggedness

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
SC-70
Рассеиваемая Мощность
300мВт
Полярность Транзистора
N и P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
25В
Непрерывный Ток Стока
220мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
4Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
850мВ

Дополнительная информация

Datasheet FDG6320C