Добавить к сравнению Сравнить ()

FDG6332C_F085, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 700 мА, 20 В, 0.18 Ом, 4.5 В, 1.1 В

PartNumber: FDG6332C_F085
Ном. номер: 8119866283
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDG6332C_F085, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 700 мА, 20 В, 0.18 Ом, 4.5 В, 1.1 В
Доступно на заказ 701 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
24 × = 24
от 25 шт. — 22 руб.
от 100 шт. — 13 руб.

Описание

The FDG6332C_F085 is a N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive and packages are impractical. It is suitable for use with DC-to-DC converters, load switch and LCD display inverter applications.

• Low gate charge
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• Small footprint
• Low profile

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
SC-70
Рассеиваемая Мощность
300мВт
Полярность Транзистора
N и P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
20В
Непрерывный Ток Стока
700мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.18Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
1.1В

Дополнительная информация

Datasheet FDG6332C_F085