FDMA291P, МОП-транзистор, P Канал, 6.6 А, -20 В, 0.036 Ом, -700 мВ, -700 мВ

PartNumber: FDMA291P
Ном. номер: 8119847818
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDMA291P, МОП-транзистор, P Канал, 6.6 А, -20 В, 0.036 Ом, -700 мВ, -700 мВ
Доступно на заказ 1068 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
40 руб. × = 40 руб.
от 25 шт. — 39 руб.
от 100 шт. — 23 руб.

Описание

The FDMA291P is a 1.8V specified single P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's PowerTrench® process. It is designed specifically for battery charge or load switching in cellular handset and other ultraportable applications. It features a MOSFET with low ON-state resistance. The MicroFET 2x2 package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.

• Halogen-free

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
µFET
Рассеиваемая Мощность
2.4Вт
Полярность Транзистора
P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
-20В
Непрерывный Ток Стока
6.6А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.036Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-700мВ
Пороговое Напряжение Vgs
-700мВ

Дополнительная информация

Datasheet FDMA291P