Мой регион: Россия

FDMA3028N

Ном. номер: 8001631176
PartNumber: FDMA3028N
Производитель: ON Semiconductor
FDMA3028N
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
80 руб.
2106 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 65 руб.
от 100 шт. — 38 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
83 руб. 8 дней, 1410 шт. 10 шт. 10 шт.
от 50 шт. — 58 руб.
от 100 шт. — 38 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
2
Length
2мм
Transistor Configuration
Isolated
Brand
ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current
3.8 A
Package Type
MLP
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Series
PowerTrench
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
2мм
Height
0.8мм
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Drain Source Resistance
123 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
30 В
Pin Count
6
Typical Gate Charge @ Vgs
3.7 nC @ 5 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.