FDMA8051L, MOSFET

Ном. номер: 8032018064
Артикул: FDMA8051L
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 FDMA8051L, MOSFET
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 FDMA8051L, MOSFET
65 руб.
12620 шт. со склада г.Москва,
срок 8 рабочих дней
Кратность заказа 10 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
109 руб. 3-5 недель, 454 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 94.80 руб.
от 25 шт. — 89.60 руб.
130 руб. 2-4 недели, 2532 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 97 руб.
от 100 шт. — 67 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Semiconductors
PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
10 A
Тип корпуса
MLP
Максимальное рассеяние мощности
2,4 Вт, 900 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
2мм
Высота
1.5мм
Размеры
2 x 2 x 0.75мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
6,4 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
17 нс
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
19 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Число контактов
6
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
14 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
901 пФ при 20 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Дополнительная информация

Datasheet FDMA8051L

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.