FDMC4435BZ, МОП-транзистор, P Канал, -18 А, -30 В, 0.015 Ом, -10 В, -1.9 В

PartNumber: FDMC4435BZ
Ном. номер: 8046360242
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDMC4435BZ, МОП-транзистор, P Канал, -18 А, -30 В, 0.015 Ом, -10 В, -1.9 В
Доступно на заказ 1360 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
54 руб. × = 270 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 50 шт. — 31 руб.
от 250 шт. — 28 руб.

Описание

The FDMC4435BZ is a P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance. It is well suited for load switching applications common in portable battery packs.

• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• 100% UIL tested
• >7kV Typical HBM ESD protection level

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
MLP
Рассеиваемая Мощность
31Вт
Полярность Транзистора
P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
-30В
Непрерывный Ток Стока
-18А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.015Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-10В
Пороговое Напряжение Vgs
-1.9В

Дополнительная информация

Datasheet FDMC4435BZ