FDMC4435BZ, МОП-транзистор, P Канал, -18 А, -30 В, 0.015 Ом, -10 В, -1.9 В

PartNumber: FDMC4435BZ
Ном. номер: 8046360242
Производитель: ON Semiconductor
FDMC4435BZ, МОП-транзистор, P Канал, -18 А, -30 В, 0.015 Ом, -10 В, -1.9 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
71 руб.
127 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 50 шт. — 62 руб.
от 100 шт. — 40 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 71 руб.

The FDMC4435BZ is a P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance. It is well suited for load switching applications common in portable battery packs.

• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• 100% UIL tested
• >7kV Typical HBM ESD protection level

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Соответствует Фталатам RoHS

Дополнительная информация

Datasheet FDMC4435BZ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.