Мой регион: Россия

FDMC510P, МОП-транзистор, P Канал, -18 А, -20 В, 0.0064 Ом, -4.5 В, -500 мВ

Ном. номер: 8139474424
PartNumber: FDMC510P
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 FDMC510P, МОП-транзистор, P Канал, -18 А, -20 В, 0.0064 Ом, -4.5 В, -500 мВ
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 FDMC510P, МОП-транзистор, P Канал, -18 А, -20 В, 0.0064 Ом, -4.5 В, -500 мВ
140 руб.
2319 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 115 руб.
от 100 шт. — 88 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
150 руб. 8 дней, 13945 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 120 руб.
120 руб. 2-3 недели, 1160 шт. 1 шт. 5 шт.
от 35 шт. — 95 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The FDMC510P is a P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It is suitable for battery management and load switch applications.

• High-performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
• 100% UIL tested
• >2kV Typical HBM ESD protection level

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Continuous Drain Current
54 A
Package Type
MLP
Maximum Power Dissipation
41 W
Mounting Type
Surface Mount
Width
3.3mm
Height
0.75mm
Dimensions
3.3 x 3.3 x 0.75mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.3mm
Transistor Configuration
Single
Typical Turn-On Delay Time
15 ns
Brand
ON Semiconductor
Typical Turn-Off Delay Time
338 ns
Series
PowerTrench
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pin Count
8
Category
Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs
83 nC @ 4.5 V
Channel Mode
Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds
5910 pF @ -10 V
Channel Type
P
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Вес, г
0.066

Дополнительная информация

Datasheet FDMC510P

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.