FDMC7660, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 20 А, 0.0018 Ом, Power 33, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
450 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
380 руб.
от 100 шт. —
311 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 2 700 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 40А, 41Вт, PQFN8 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
Pd - рассеивание мощности | 2.3 W |
Qg - заряд затвора | 54 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.6 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.7 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 6.8 ns |
Время спада | 5.7 ns |
Высота | 0.8 mm |
Длина | 3.3 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | PowerTrench |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 163 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | FDMC7660 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 36 ns |
Типичное время задержки при включении | 14 ns |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка / блок | Power-33-8 |
Ширина | 3.3 mm |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
Maximum Drain Source Resistance | 3.3 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 41 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | Power 33 |
Pin Count | 8 |
Series | PowerTrench |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
Width | 3.3mm |
Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов