Мой регион: Россия

FDMC86520L, МОП-транзистор, N Канал, 22 А, 60 В, 0.0065 Ом, 10 В, 1.7 В

Ном. номер: 8193968004
PartNumber: FDMC86520L
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 FDMC86520L, МОП-транзистор, N Канал, 22 А, 60 В, 0.0065 Ом, 10 В, 1.7 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 FDMC86520L, МОП-транзистор, N Канал, 22 А, 60 В, 0.0065 Ом, 10 В, 1.7 В
170 руб.
17939 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 135 руб.
от 100 шт. — 110 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
260 руб. 8 дней, 182 шт. 2 шт. 2 шт.
от 20 шт. — 140 руб.
от 100 шт. — 100 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
PowerTrench® N-Channel MOSFET, 20A to 59.9A, Fairchild Semiconductor

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
3.3mm
Transistor Configuration
Single
Brand
ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current
55 A
Package Type
MLP
Maximum Power Dissipation
40 W
Series
PowerTrench
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
3.3mm
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Height
0.75mm
Maximum Drain Source Resistance
11.7 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
45 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Вес, г
0.4

Дополнительная информация

Datasheet FDMC86520L

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.