Мой регион: Россия

FDME1023PZT, MOSFET DUAL P-CHANNEL 20V 2.3A MICROFET6

Ном. номер: 8000004096
PartNumber: FDME1023PZT
Производитель: ON Semiconductor
FDME1023PZT, MOSFET DUAL P-CHANNEL 20V 2.3A MICROFET6
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
100 руб.
4535 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 50 шт. — 36 руб.
от 100 шт. — 29 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
63 руб. 3-4 недели, 2724 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 52.10 руб.
от 25 шт. — 46.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
2,6 A
Тип корпуса
MicroFET, тонкий
Максимальное рассеяние мощности
1,4 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
1.6мм
Высота
0.5мм
Размеры
1.6 x 1.6 x 0.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
1.6мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
4,7 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
33 ns
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Максимальное сопротивление сток-исток
530 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Число контактов
6
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
5,5 нКл при 4,5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
305 пФ при -10 В
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.