Мой регион: Россия

FDME410NZT, МОП-транзистор, N Канал, 7 А, 20 В, 0.019 Ом, 4.5 В, 700 мВ

Ном. номер: 8152172781
PartNumber: FDME410NZT
Производитель: ON Semiconductor
FDME410NZT, МОП-транзистор, N Канал, 7 А, 20 В, 0.019 Ом, 4.5 В, 700 мВ
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
73 руб.
744 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 61 руб.
от 100 шт. — 40 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 146 руб.

The FDME410NZT is a single N-channel MOSFET designed using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process to optimize the RDS (ON) @ VGS = 1.5V on special MicroFET lead-frame. It is suitable for Li-ion battery pack, base band switch and load switch applications.

• Halogen-free
• >1800V HBM ESD protection level

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Вес, г
0.066

Дополнительная информация

Datasheet FDME410NZT

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.