Мой регион: Россия

FDMS030N06B, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 60 В, 0.0024 Ом, 10 В, 3.3 В

Ном. номер: 8001813825
PartNumber: FDMS030N06B
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 FDMS030N06B, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 60 В, 0.0024 Ом, 10 В, 3.3 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 FDMS030N06B, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 60 В, 0.0024 Ом, 10 В, 3.3 В
220 руб.
1648 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 182 руб.
от 100 шт. — 146 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
190 руб. 8 дней, 2985 шт. 5 шт. 5 шт.
209 руб. 3-4 недели, 22 шт. 1 шт. 1 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Package Type
Power 56
Maximum Power Dissipation
104 W
Mounting Type
Surface Mount
Width
6.25mm
Height
1.05mm
Dimensions
5.1 x 6.25 x 1.05mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5.1mm
Transistor Configuration
Single
Typical Turn-On Delay Time
39 ns
Brand
ON Semiconductor
Typical Turn-Off Delay Time
52 ns
Series
PowerTrench
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Drain Source Resistance
3 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pin Count
8
Category
Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs
75 nC @ 10 V
Channel Mode
Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds
5685 pF @ 30 V
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Вес, г
0.5

Дополнительная информация

Datasheet FDMS030N06B

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.