FDMS3572
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
710 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
600 руб.
от 100 шт. —
483 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 840 руб.
Описание
Полевые МОП-транзисторы PowerTrench®
onsemi / Fairchild МОП-транзисторы PowerTrench® предлагают широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов в отрасли. Эти полевые МОП-транзисторы предлагают версии с N-каналом и P-каналом, которые оптимизированы для работы и надежности переключения с низким R DS (ON). Типичные приложения включают переключатели нагрузки, первичное переключение, мобильные вычисления, преобразователи постоянного тока в постоянный и синхронные выпрямители.
onsemi / Fairchild МОП-транзисторы PowerTrench® предлагают широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов в отрасли. Эти полевые МОП-транзисторы предлагают версии с N-каналом и P-каналом, которые оптимизированы для работы и надежности переключения с низким R DS (ON). Типичные приложения включают переключатели нагрузки, первичное переключение, мобильные вычисления, преобразователи постоянного тока в постоянный и синхронные выпрямители.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 12 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.8 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | Power-56-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 28 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 16.5 mOhms |
| Rise Time: | 13 ns |
| Series: | FDMS3572 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | UltraFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Вес, г | 0.112 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 631 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
