Мой регион: Россия

FDMS8090, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 100 В, 0.013 Ом, 10 В, 3 В

Ном. номер: 8001732336
PartNumber: FDMS8090
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 FDMS8090, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 100 В, 0.013 Ом, 10 В, 3 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 FDMS8090, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 100 В, 0.013 Ом, 10 В, 3 В
260 руб.
2221 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 218 руб.
от 100 шт. — 189 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
300 руб. 1-2 недели, 5880 шт. 5 шт. 5 шт.
от 30 шт. — 230 руб.
от 150 шт. — 184 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer an increase in system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and a soft reverse recovery body diode, which contribute towards fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Вес, г
0.4

Дополнительная информация

Datasheet FDMS8090

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.