Мой регион: Россия

FDMS8090, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 100 В, 0.013 Ом, 10 В, 3 В

Ном. номер: 8001732336
PartNumber: FDMS8090
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 FDMS8090, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 100 В, 0.013 Ом, 10 В, 3 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 FDMS8090, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 100 В, 0.013 Ом, 10 В, 3 В
270 руб.
1422 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 226 руб.
от 100 шт. — 196 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
280 руб. 10 дней, 5880 шт. 5 шт. 5 шт.
от 30 шт. — 210 руб.
от 150 шт. — 173 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer an increase in system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and a soft reverse recovery body diode, which contribute towards fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
40 А
Тип корпуса
Power 56
Максимальное рассеяние мощности
59 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6мм
Высота
0.75мм
Размеры
5 x 6 x 0.75мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
F
Длина
5мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
10,6 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
17,4 нс
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
20 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
19 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1285 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.4

Дополнительная информация

Datasheet FDMS8090

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.