FDMS86201, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 120 В, 35 А, 0.0096 Ом, Power 56, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
660 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
560 руб.
от 100 шт. —
456 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 640 руб.
Описание
Полевые МОП-транзисторы Fairchild PowerTrench
Технические параметры
Brand: | onsemi/Fairchild |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 7.1 ns |
Forward Transconductance - Min: | 39 S |
Id - Continuous Drain Current: | 65 A |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | Power-56-8 |
Pd - Power Dissipation: | 104 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 32 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.6 mOhms |
Rise Time: | 7.7 ns |
Series: | FDMS86201 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | PowerTrench |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | N-Channel Power Trench MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 120 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Вес, г | 0.13 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 455 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов