FDN302P, Транзистор PowerTrench P-канал 20В 2.4А [SuperSOT-3]

Ном. номер: 9000616791
Артикул: FDN302P
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 FDN302P, Транзистор PowerTrench P-канал 20В 2.4А [SuperSOT-3]
Фото 2/2 FDN302P, Транзистор PowerTrench P-канал 20В 2.4А [SuperSOT-3]
11 руб.
2970 шт. со склада г.Москва
от 100 шт. — 9.10 руб.
от 1000 шт. — 8.40 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
8.90 руб. 3-4 недели, 15000 шт. 3000 шт. 3000 шт.
от 12000 шт. — 7.70 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес

The FDN302P is a -20V P-channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.

• High performance trench technology for extremely low RDS (on)

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
2.4 A
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.4мм
Высота
0.94мм
Размеры
2.92 x 1.4 x 0.94мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.92мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
13 ns
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
25 нс
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Максимальное сопротивление сток-исток
55 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
9 nC @ 4.5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
882 пФ при 10 В
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Вес, г
0.05

Техническая документация

FDN302P
pdf, 221 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FDN302P
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.