FDN302P, Транзистор P-MOSFET 20В 2.4А 0.5Вт [SOT-23-3]

FDN302P, Транзистор P-MOSFET 20В 2.4А 0.5Вт [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5756 шт. со склада г.Москва
8 руб.
от 100 шт.7 руб.
1 шт. на сумму 8 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 9001231118
Артикул: FDN302P
PartNumber: UMW FDN302P

Технические параметры

Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 55 мОм/2.4А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.5
Крутизна характеристики, S 10
Корпус SOT-23-3
Пороговое напряжение на затворе 0.6…1.5
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet UMW FDN302P
pdf, 304 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.