FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]
![Фото 2/4 FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]](https://static.chipdip.ru/lib/895/DOC002895998.jpg)
![Фото 3/4 FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]](https://static.chipdip.ru/lib/154/DOC003154219.jpg)
![Фото 4/4 FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]](https://static.chipdip.ru/lib/592/DOC004592152.jpg)
![Фото 1/4 FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
17 руб.
|
110 шт. со склада г.Москва
|
|
от 100 шт. —
16 руб.
от 1000 шт. —
по запросу
|
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 17 руб.
|
Описание
MOSFET, P, SMD, SSOT-3; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P; Voltage, Vds Typ: -12V; Current, Id Cont: -2.6A; Resistance, Rds On: 40mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: -4.5V; Voltage, Vgs th Typ: -0.6V; Case Style: SuperSOT-3; Termination Type: SMD
Корпус TO236
Корпус TO236
Технические параметры
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -12 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -2.6 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.04 ом при-2.6a, -4.5в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
Крутизна характеристики, S | 10 |
Корпус | supersot3 |
Особенности | мобильные приложения |
Пороговое напряжение на затворе | -0.4…-1.5 |
Вес, г | 0.041 |
Техническая документация
fdn306p
pdf, 146 КБ
Дополнительная информация
Datasheet FDN306P
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Цена и наличие в магазинах
С этим товаром покупают