Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Fairchild › FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]

FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]

Фото 4/4 FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]

Фото 1/4 FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]

Ном. номер: 9020005583

Артикул: FDN306P

Производитель: Fairchild Semiconductor

17 руб.	110 шт. со склада г.Москва
от 100 шт. — 16 руб. от 1000 шт. — по запросу

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 17 руб.

В кредит от 0 руб./мес

Описание

MOSFET, P, SMD, SSOT-3; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P; Voltage, Vds Typ: -12V; Current, Id Cont: -2.6A; Resistance, Rds On: 40mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: -4.5V; Voltage, Vgs th Typ: -0.6V; Case Style: SuperSOT-3; Termination Type: SMD
Корпус TO236

Технические параметры

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	-12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	-2.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.04 ом при-2.6a, -4.5в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	0.5
Крутизна характеристики, S	10
Корпус	supersot3
Особенности	мобильные приложения
Пороговое напряжение на затворе	-0.4…-1.5
Вес, г	0.041