FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]

Фото 2/4 FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]Фото 3/4 FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]Фото 4/4 FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]
Фото 1/4 FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]
Ном. номер: 9020005583
Артикул: FDN306P
Производитель: Fairchild Semiconductor
17 руб.
110 шт. со склада г.Москва
от 100 шт. — 16 руб.
от 1000 шт. — по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 17 руб.
В кредит от 0 руб./мес

Описание

MOSFET, P, SMD, SSOT-3; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P; Voltage, Vds Typ: -12V; Current, Id Cont: -2.6A; Resistance, Rds On: 40mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: -4.5V; Voltage, Vgs th Typ: -0.6V; Case Style: SuperSOT-3; Termination Type: SMD
Корпус TO236

Технические параметры

Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -2.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.04 ом при-2.6a, -4.5в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.5
Крутизна характеристики, S 10
Корпус supersot3
Особенности мобильные приложения
Пороговое напряжение на затворе -0.4…-1.5
Вес, г 0.041

Техническая документация

fdn306p
pdf, 146 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FDN306P
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах