FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]
![Фото 1/3 FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]](https://static.chipdip.ru/lib/344/DOC001344234.jpg)
![Фото 2/3 FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]](https://static.chipdip.ru/lib/895/DOC002895998.jpg)
![Фото 3/3 FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]](https://static.chipdip.ru/lib/154/DOC003154219.jpg)
|
13 руб.
|
326 шт. со склада г.Москва | |
|
от 100 шт. — 12 руб.
от 1000 шт. — по запросу
|
||
|
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 13 руб.
|
The FDN306P is a P-channel 1.8V specified MOSFET uses advanced low voltage PowerTrench® process. It has been optimized for battery power management applications.
• Fast switching
• High performance trench technology for extremely low RDS
Технические параметры
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Особенности
мобильные приложения
Пороговое напряжение на затворе
-0.4…-1.5
Техническая документация
fdn306p
pdf, 146 КБ
Дополнительная информация
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
