Мой регион: Россия

FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]

Артикул: FDN306P
Ном. номер: 9020005583
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/3 FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]
Фото 2/3 FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]Фото 3/3 FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]
13 руб.
326 шт. со склада г.Москва
от 100 шт. — 12 руб.
от 1000 шт. — по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 13 руб.

The FDN306P is a P-channel 1.8V specified MOSFET uses advanced low voltage PowerTrench® process. It has been optimized for battery power management applications.

• Fast switching
• High performance trench technology for extremely low RDS

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Особенности
мобильные приложения
Пороговое напряжение на затворе
-0.4…-1.5

Техническая документация

fdn306p
pdf, 146 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FDN306P

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.