Добавить к сравнению Сравнить ()

FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]

Артикул: FDN306P
Ном. номер: 9020005583
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/2 FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]
Фото 2/2 FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]
Есть в наличии более 200 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
21 × = 21
от 20 шт. — 14 руб.
от 100 шт. — 11 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Особенности
мобильные приложения
Пороговое напряжение на затворе
-0.4…-1.5

Техническая документация

fdn306p
pdf, 146 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FDN306P
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов